Южнокорейская Samsung Electronics намерена инвестировать 39 трлн донгов ($1,5 млрд) в строительство завода по тестированию полупроводниковой продукции во Вьетнаме, говорится в документах компании, которые были направлены местным регуляторам и есть в распоряжении Reuters.
Как сообщает агентство, строительство площадки уже началось в промзоне в 60 км к северу от Ханоя. Ожидается, что объект будет введен в эксплуатацию в ноябре 2027 года.
Samsung ожидает, что на площадке будут ежегодно тестировать чипы памяти DRAM объемом 153,3 млрд Гбит и чипы NAND на 255,6 млрд Гбит.
Прибыль, полученная вьетнамским заводом, будет реинвестирована в строительство второй аналогичной площадки.
Акции Samsung на торгах в Сеуле в среду подорожали на 2,7%. С начала года капитализация компании взлетела почти в 2,6 раза.