Выпуск 1D DRAM (10-нм техпроцесс 7-го поколения) от Samsung для решений HBM нового поколения может быть отложен из-за недостижения целевых показателей годных.
Согласно отчету корейского издания IT Chosun , из-за неудовлетворительных показателей выхода пригодных для своей 1D «D1d » DRAM, основанной на 10-нм техпроцессе, Samsung может отказаться от массового производства своих решений HBM нового поколения.
Технология DRAM уже получила предварительное одобрение на производство (PRA), однако возникли опасения относительно рентабельности (ROI) запуска пробной партии, не говоря уже о массовом производстве, поскольку показатели выхода годных оказались ниже целевых уровней.
«Samsung Electronics планирует отложить массовое производство на неопределенный срок до тех пор, пока выход годных D1d не достигнет целевого уровня, и на данный момент дата обновления не определена», – сообщил источник, знакомый с внутренней работой Samsung Electronics. «Они сосредоточены на дальнейшем увеличении выхода пригодных путем полного пересмотра дорожной карты процесса». Машинный перевод через IT Chosun
Технология D1D DRAM от Samsung будет играть решающую роль в будущей дорожной карте памяти HBM компании. Ожидается, что он будет использоваться в hbm5e, решении HBM 9-го поколения от корейской полупроводниковой компании.
В настоящее время 1C DRAM используется в трех поколениях продуктов HBM, включая HBM4, HBM4E и HBM5. HBM4 выйдет позже в этом году и будет использоваться на платформах NVIDIA Vera Rubin и AMD MI400, в то время как ожидается, что HBM4E будет использоваться в ускорителях Rubin Ultra и MI500. Ожидается, что hbm5 и кастомный дизайн будут реализованы в линейках Nvidia Feynman и других конкурирующих решениях.
Несколько дней назад мы сообщали, что Samsung значительно сокращает цикл разработки HBM . Хотя это приведет к более быстрой подготовке новых решений HBM, это не значит, что они будут готовы к производству. Циклы разработки и производства различны, и именно производственный цикл назван узким местом в новом отчете.
В то же время Samsung Electronics направила дополнительные ресурсы на строительство мощного завода по производству чипов в Ониане, Корея. Это предприятие, занимающее площадь четырех футбольных полей, будет использоваться для производства DRAM-продуктов нового поколения, включая HBM. Объект будет отвечать за упаковку, тестирование, логистику и контроль качества – все это имеет решающее значение для устойчивого производства.
Быстрая разработка наряду с расширением производственных мощностей поможет Samsung конкурировать с SK Hynix, которая также разработала и обеспечила выход подходящих для своей технологии D1d DRAM. Обе компании конкурируют за крупные контракты с ведущими AI-компаниями, и только та, кто сможет диверсифицировать свои планы с HBM, сосредоточиться на устойчивых планах разработки и производства, обеспечивая при этом хорошие показатели выхода годных и стабильный ROI, сможет достичь положительных результатов.