По данным инсайдера Ice Universe и профильных СМИ, компания Samsung Electronics успешно разработала прототип 900-слойной V-NAND — вертикальной флэш-памяти нового поколения. Если информация подтвердится официально, это станет важным шагом к рубежу в 1000 слоев, который давно считается одной из следующих крупных целей индустрии NAND-памяти.
По сообщениям, прототип создан не простым наращиванием одного кристалла, а за счет объединения двух 450-слойных блоков с применением технологии CMB, или Cell-on-Cell/multi-layer bonding. Такой подход позволяет увеличивать количество слоев и плотность хранения данных, обходя часть технологических ограничений, с которыми сталкиваются производители при дальнейшем вертикальном масштабировании NAND.
Для Samsung это особенно важная демонстрация на фоне растущего спроса на диски для серверов, инфраструктуры искусственного интеллекта, ПК и мобильных устройств. Компания уже выпускает V-NAND 9-го поколения: в 2024 году Samsung объявила о массовом производстве 1-терабитного TLC V-NAND, а затем начала производство QLC V-NAND 9-го поколения для задач эпохи ИИ.
900-Слойный прототип пока не означает немедленного появления потребительских SSD с такой памятью. Между лабораторной разработкой и массовым производством остаются вопросы выпуска подходящих чипов, стоимости, надежности, энергопотребления и совместимости с будущими контроллерами. Но сам факт успешной проверки такой структуры показывает, что Samsung продолжает искать путь к резкому росту емкости без пропорционального увеличения площади чипа.
Если технология дойдет до серийного производства, она может стать основой для SSD гораздо большей емкости — от потребительских накопителей до корпоративных решений для дата-центров. На фоне конкуренции с SK hynix, Micron, YMTC и другими игроками Samsung важно не просто удержать лидерство в NAND, а доказать, что компания способна первой приблизиться к следующему поколению сверхплотной флэш-памяти.