Samsung объявила о начале поставки образцов новой 12-слойной памяти HBM4E для крупных международных клиентов. Это следующее поколение высокоскоростной памяти, которое приходит после HBM4 и ориентировано в первую очередь на системы искусственного интеллекта и большие языковые модели.
По данным компании, HBM4E обеспечивает скорость передачи данных до 14 Гбит/с с возможностью масштабирования до 16 Гбит/с. Пропускная способность достигает примерно 3,6 ТБ/с на один стек, что делает технологию подходящей для самых требовательных вычислительных задач в дата-центрах и AI-инфраструктуре.
В новом поколении также увеличен объем памяти: 12-слойная конфигурация предлагает 48 ГБ, что более чем на 30% превышает показатели предыдущих решений. В будущем компания планирует выпуск версий на 32 ГБ и 64 ГБ. Кроме того, благодаря оптимизации архитектуры удалось повысить энергоэффективность примерно на 16% и улучшить тепловые характеристики более чем на 14%.
После этапа тестовых поставок Samsung планирует перейти на массовое производство HBM4E в соответствии с графиками клиентов, продолжая расширять свое присутствие на рынке памяти для искусственного интеллекта.