Samsung сделала шаг к революции во флэш-памяти, разработав новую NAND со сверхнизким энергопотреблением. Ключевая инновация касается не самой памяти, а производственного процесса, который позволяет снизить энергопотребление до 96% по сравнению с обычной NAND. Другими словами, пиковое потребление энергии снижается до 4% от стандартного, хотя среднее значение будет несколько выше.
Технология основана на интеграции сегнетоэлектриков с оксидными полупроводниками. Ученые Samsung использовали уникальные электрические свойства оксидных полупроводников, которые ранее считались недостатком из-за ограниченной возможности настройки порогового напряжения. В структуре Ultra — Low — Power NAND эта характеристика превращается в преимущество, позволяя значительно экономить энергию.
Компания сообщает о планах коммерциализации памяти, однако конкретных сроков выхода на рынок еще нет. Очевидно, что потребуется несколько лет, прежде чем такие устройства станут доступны широкому пользователю.